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“초음파로 10억분의 1m 막대 제어”

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“초음파로 10억분의 1m 막대 제어”

2007.03.16 08:59
나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) 크기의 고집적 전자소재를 매우 빠르고 정확하게 만들 수 있는 기술이 개발됐다. 경북대 화학공학과 정수환 교수팀은 “초음파 에너지를 이용해 상온, 상압 조건에서 산화아연(ZnO) 나노막대를 빠르게 성장시키면서 그 위치까지 정확하게 제어하는 기술을 개발했다”고 15일 밝혔다. 산화아연 나노막대는 테라급 초고속 트랜지스터, 대기오염물질 모니터링 센서, 태양전지용 전극, 자외선 발광소자 등을 만드는 데 쓰이는 반도체 신소재. 연구팀은 초음파를 이용해 순간적으로 반응 속도를 향상시켜 원하는 위치에 고밀도의 산화아연 나노막대를 쌓는 데 성공했다. 지금까지는 높은 온도가 필요하거나 시간이 많이 걸리고 위치를 조절하기가 어려웠다. 이 연구는 과학기술부 테라급나노소자개발사업단의 지원으로 이뤄졌으며, 독일의 재료공학 전문지 ‘어드밴스트 머티리얼스’ 2월 8일자 온라인판에 실렸다.

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